Esposizione superlente – 01

procedura

1. lavaggio stack superlente preparata il 15/12/2010 con ACE (80 °C), IPA e asciugatura con N2
2. disidratazione su hotplate a 115 °C per 5 min.
3. coat con fotoresist S1805 diluito (per preparazione vedi procedura 2)
   1. puddle su tutto il campione
   2. 10 sec a 900 RPM compresa accelerazione
   3. 30 sec a 4000 RPM
4. softbake 1 min @ 115 °C su hotplate
5. esposizione 40 sec @ 15 mW/cm2 = 600 mJ su CI2
6. sviluppo in MF-321 per 60 sec
7. risciacquo sotto DI corrente per 60 sec
8. asciugatura in N2
9. esame al microscopio AFM

risultato: esposizione eccessiva - prossimo tentativo alla dose di 10" @ 15 mW/cm2 CI2.