Matrice di esposizione dose × tempo di sviluppo per resist CSAR 62 spinned at 6000 rpm (rampa 2000 rpm/s per 60 s totali) e softbaked a 150 °C per 3 min su substrato SiO2 (6000 Å)/Si. La dose-to-clear, dipendente dal tempo di sviluppo, risulta essere la seguente:
| Development time [s] |
Dose-to-clear [μC/cm²] |
| 45 | 80 |
| 60 | 70 - 80 |
| 90 | 60 |
Non si osservano particolari differenze sulla qualità delle strutture sviluppate a diversi tempi si sviluppo. Qui sotto le immagini del resist sviluppato (+ 7 nm di Au) a diversi tempi si sviluppo.
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Per le prossime esposizioni useremo 80 μC/cm² ed un tempo di sviluppo di 60 s.