Procedura per ion milling di Si(100) con cannone DC25s della Oxford Applied Research recentemente installato presso il laboratorio Materiali Avanzati. Il cannone è una sorgente Kaufman DC a due griglie, a catodo caldo, diametro nominale 25 mm, energia 0-200 eV. Il campione di test è Si(100) tipo n (Phosphorous), resistività 0.7 Ω·cm, mascherato con gocce di photoresist Shipley S1813 (no soft bake). La durata del processo di etching è 30 min, incidenza normale.
Test 1: target grounded
Condizioni di etching: flusso Ar #250 (5 sccm), pressione 7.6e-4 - 8.0e-4 mbar, beam energy 200 eV, extractor -500 V, beam current 4.0 mA (da tenere costante operando sulla cathode current), cathode current 1.87 A - 1.50 A (deve essere progressivamente calata per mantenere costante la beam current), discharge current ≈ 0.26 A, extractor current 0 mA, target current 0.9 - 1.0 mA. Dopo la rimozione del photoresist, la misura al profilometro P6 indica una rimozione di 387 Å, corrispondente ad una velocità di erosione pari a 1.3 nm/min.
Test 2: target polarizzato -400 V
Condizioni di etching: flusso Ar #250 (5 sccm), pressione 7.9e-4 mbar, beam energy 200 eV, extractor -500 V, beam current 4.0 mA (da tenere costante operando sulla cathode current), cathode current 1.35 A - 0.83 A (deve essere progressivamente calata per mantenere costante la beam current), discharge current 0.22 - 0.25 A, extractor current 0 mA, target current 2.5 - 1.8 mA. Dopo la rimozione del photoresist, che risulta più difficoltosa probabilmente a causa del maggiore riscaldamento del campione, la misura al profilometro P6 indica una rimozione di 924 Å, corrispondente ad una velocità di erosione pari a 3.1 nm/min.
logbook del laboratorio litografico
