Il primo run di misure di magnetoresistenza sui campioni bondati il 19 ottobre non ha dato buoni risultati: tutte le magnetostrutture presenti sui 4 chip (dischi, rings) risultano interrotte, nonostante le precauzioni anti-ESD che abbiamo adottato. L'unico dubbio è l'analisi SEM fatta subito dopo il bonding che, a causa del ciclo di smagnetizzazione delle lenti che viene automaticamente effettuato prima della misura, potrebbe aver causato qualche effetto sulle magnetostrutture. Decidiamo quindi di non fare le analisi SEM prima delle misure elettriche. Eseguo i collegamenti (bonding) su un chip di anelli quadrati (campioni tipo C). Un'analisi visuale al microscopio ottico non mostra danni ESD evidenti. Quest'analisi non è tuttavia risolutiva poichè il massimo ingrandimento del microscopio quando il chip è installato nella cavità portachip è limitato a 20X, causa impedimento meccanico dovuto all'interferenza fra l'obbiettivo e il portachip. Misuro la resistenza fra i pin relativi a coppie di contatti che dovrebbero essere in connessione elettrica. Mi aspetto valori di resistenza dell'ordine del kΩ. Per la misura utilizzo il sourcemeter DC Keithley mod. 2400, iniettando una corrente di 1 µA con una V compliance di 10 mV. La misura viene eseguita su un tappetino anti-ESD da tavolo, collegato a massa. Tutti i contatti risultano avere una resistenza superiore ai 50 MΩ. Un'analisi SEM successiva conferma che le magnetostrutture non presentano evidenti danni da ESD, nè sulla parte magnetoresistiva, nè sulle piste di collegamento in Au. Per ora si conclude che i ring quadrati presentano un grave difetto di fabbricazione.
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