Per fare prove di litografia mediante fascio eletronico EBL un wafer da 2" di Si con SiO2 (cresciuto termicamente di spessore 700 nm) è stato diviso in due parti mediante lo scriber. Su ciascuna è stato spinnato del PMMA (PolyMethylMethAcrylate 950k in clorobenzene) a 2000 rpm.
Utilizzando la nuova hot-plate i due substrati sono stati sottoposti a bake per 1 minuto a 170 °C.
I substrati sono pronti per essere impressionati con fascio elettronico.
logbook del laboratorio litografico
