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Fabbricazione sonde Hall – 2

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  1. Lavaggio wafer 4" con 680 nm SiO2: ACE 3 min @ 80 °C + IPA 3 min @ 80 °C;
  2. RIE - Hard plasma clean (300 W, 50 sccm O2, 5 min);
  3. Trattamento con HDMS a 150 °C;
  4. Spin 3 ml photoresist negativo ma-N 1420 @ 5000 rpm x 30 s con 5 s @ 500 rpm per spread out;
  5. Prebake 100 °C × 2 min;
  6. Exposure 20 s @ 4.5 mW/cm2 CI1;
  7. Develop 1 min 20 s con ma-D 533-S + DI rinse and blow dry N2;
  8. Etch 10 min con BOE;
  9. Remove photoresist con NMP 3 min RT + DI rinse and blow dry N2;
  10. Taglio campioni 20 × 20 mm con diamond scriber force 15 g;
  11. Lavaggio con ACE 3 min @ 80 °C + IPA 3 min @ 80 °C;
  12. RIE - Hard plasma clean;
  13. Trattamento con HDMS a 150 °C;
  14. Spin 0.5 ml photoresist negativo ma-N 1420 @ 5000 rpm x 30 s con 5 s @ 500 rpm per spread out;
  15. Prebake 100 °C x 2 min;
  16. Exposure 15 s @ 4.5 mW/cm2 CI1 - maschera wires;
  17. Develop 1 min 20 s con ma-D 533-S + DI rinse and blow dry N2;
  18. Sputter deposition 5 nm Cr + 500 nm Al-Si 1%;
  19. Soak in NMP 15 min @ 80 °C + 3 min US @ power 50% + 1 min US power 100%;
  20. DI rinse and dry;
  21. RIE - Hard plasma clean;
  22. Annealing @ 400 °C × 60 min in flusso N2;
  23. Lavaggio con IPA 3 min @ 80 °C;
  24. RIE - Hard plasma clean;
  25. Trattamento con HDMS a 150 °C;
  26. Spin 0.5 ml photoresist negativo ma-N 1420 @ 5000 rpm x 30 s con 5 s @ 500 rpm per spread out;
  27. Prebake 100 °C x 2 min;
  28. Exposure 15 s @ 4.5 mW/cm2 CI1 - maschera devices;
  29. Develop 1 min 20 s con ma-D 533-S + DI rinse and dry;
  30. Taglio dies 3.5 × 3.5 mm con diamond scriber force 15 g;
  31. Lavaggio con DI + blow dry N2 su spinner 10.000 rpm.
  32. Cernita delle sonde: fabbricate n. 64, scartate n. 12, utilizzabili n. 52.

Parametri bonder Kulicke-Soffa:
1st bond (pad): force 1.5, time 2, power 2.2
2nd bond (portachip): force 2, time 2, power 2.1
N.B.: per pad difficoltosi portare power a 2.4