- tagliato substrati Si(100) + 600 nm SiO2 20x20 mm.
- lavati con ACE 80 C + IPA 80 C x 3 min + ultrasuoni.
- RIE Hard cleaning (300 W plasma O2 x 5 min).
- dehydration + HMDS in forno a vuoto.
- spin ma-N 1420 @ 5000 rpm x 30 s con 5 s @ 500 rpm per spread out.
- prebake 100 C x 120 s hotplate.
- test tempo di sviluppo con ma-D 533-S su unexposed resist: 1 min 20 s, incluso incremento 20% per undercut.
- esposizione 15 s CI1 @ 4.5 mW/cm2 maschera 'wires'.
- sviluppo 1 min 20 s con ma-D 533-S + DI rinse.
- deposizione per sputtering 5 nm Cr + 500 nm Al
- liftoff con NMP 3 min 80 C + 3 min 80 C + ultrasuoni (risultato metallizzazione imprecisa, forse film troppo spesso).
- RIE Hard cleaning (300 W plasma O2 x 5 min).
- dehydration + HMDS in forno a vuoto.
- spin ma-N 1420 @ 5000 rpm x 30 s con 5 s @ 500 rpm per spread out.
- prebake 100 C x 120 s hotplate.
- esposizione 15 s CI1 @ 4.5 mW/cm2 maschera 'devices'.
- sviluppo 1 min 20 s con ma-D 533-S + DI rinse.
Non è stato possibile bondare i pad causa distacco della metallizzazione dal substrato. Annealing in vuoto o i N2 a 500 C per 60 min risolve il problema. Parametri ottimali per il bonder: 1st bond (pad) force=1, time=1.5, power=2.1, 2nd bond (PCB) force=2, time=3, power=2.3. Al wire 25 um.