Verifica dei risultati sperimentali riportati da Nam et al. su wet etch di AZO con diversi reagenti, in particolare HCl diluito. Si deposita il campione AZO#18 (ZnO RF 120W, Al DC 140 W, 273 V 0.51 A spessore nominale 4000 Å). Si depositano 4 contatti ohmici in Al per evaporazione termica (shadow mask 4 dots, 400 μm diam, 1400 μm pitch). Un test preliminare eseguito su un film di Al 2000 Å/SiO2 mostra che i contatti di Al non vengono apprezzabilmente erosi da HCl 0.05 M: dopo 10 min di etch la sheet resistance del film di Al passa da 204.2 mΩ/□ a 228 mΩ/□, anche se dopo qualche minuto si osserva esfoliazione in piccole aree del film. Sul film di AZO#18 si misura la sheet resistance in funzione del tempo di etching in HCl 0.05 M (4.16 ml di HCl 37% in 1000 ml di soluzione):
| Etch time [s] | Sheet resistance [Ω/□] |
| 0 | 31.99 |
| 10 | 82.76 |
| 20 | 1057 |
| 30 | ∞ |
La rimozione completa del film di AZO#18 avviene per tempi di etching compresi fra i 20 e i 30 s. La velocità di etching (assumendo uno spessore nominale di 372 nm, vedi più sotto) è di circa 900 nm/min.
Spin coating di 200 nm di CSAR 62 (6000 rpm, rampa 2000 rpm/s, tempo 60 s) su campione AZO#17 (ZnO RF 120W, Al DC 160 W 279 V 0.57 A, spessore nominale 4000 Å). Esposizione di 8 aree 30 μm × 100 μm con dose 100 μC/cm². Sviluppo 45 s in developer. Stop in DI. Blow N2. Misura profilometro spessore resist 130 ± 7 nm. Etching di due campioni di AZO#17 in HCl 0.05 M rispettivamente per 30 s e per 60 s. Rimozione resist in NMP per 30 s. Misura profilometro spessore film AZO 372 ± 3 nm. Qui sotto le foto al microscopio ottico dei due campioni in diverse fasi del processo.
Si osserva che l'undercut è di circa 2 μm e 4 μm rispettivamente dopo 30 s e 60 s di etching, ossia la velocità di etching laterale è di 4 μm/min. La differenza fra le velocità di etching potrebbe essere dovuta ad una "saturazione" della soluzione etchante causata dalla bassa concentrazione di HCl.