esposizione del fotoresist
È stata costruita una maschera di acetato da collocare sul chuck da 4" con lo scopo di impressionare un frammento di wafer utilizzando una porzione specifica della fotomaschera. La maschera di acetato ha lo scopo di ostruire i canali di aspirazione del chuck che rimangono scoperti quando si utilizza un frammento di wafer e di consentire una collocazione abbastanza precisa del substrato rispetto alla fotomaschera. La maschera ha quattro aperture simmetriche da circa 20 × 20 mm sulle quali si collocano quattro frammenti dello stesso wafer (o almeno dello stesso spessore). Uno di questi è il vero e proprio substrato, gli altri tre servono solamente a garantire il parallelismo fra la fotomaschera e il wafer. Quando di applica il vuoto al chuck, maschera e frammenti vengono trattenuti in posizione sufficientemente stabile. Il substrato è stato esposto per 10" ad un flusso di 15 mW/cm2 (canale CI 2), cioè ad una dose di 150 mJ/cm2. La particolare geometria della fotomaschera permette di eseguire quattro esposizioni del substrato, ottenute ruotandolo di 90° prima di ogni esposizione.
In un post successivo sarà descritta la procedura operativa dettagliata per l'esposizione del fotoresist con il mask aligner Karl Suss MA6.
sviluppo del fotoresist
Il fotoresist è stato sviluppato con MF-321 a temperatura ambiente per 2' in una capsula Petri, successivamente sciacquato per 2' in acqua corrente. Il risultato è descritto nel post del 20 settembre. Il campione così ottenuto sarà chiamato nel seguito "substrato A".