Valutazione del tempo di sviluppo e della dose di esposizione per il resist negativo ma-N 1420.
Procedura
- Spin del photoresist a 5000 rpm x 30", preceduta da spreading a 500 rpm per 10", accelerazione 1500 rpm/sec2, static dispense.
- Prebake a 100 °C per 120".
Si preparano 4 substrati come riportato sopra - SiO2 600 nm on Si(100) - e si misura il tempo di rimozione completa del resist non-esposto in developer ma-D 533-S. Il tempo di rimozione del resist non-esposto risulta essere 61±4 s. Si assume quindi un tempo di sviluppo maggiorato del 20% pari a 73 s.
Per la valutazione del tempo di esposizione si preparano quattro substrati coated come riportato sopra e si espongono nel mask aligner con maschera vetro-cromo e canale CI1 per tempi di esposizione decrescenti. Si sviluppano per per 73 s e si osserva la qualità delle geometrie sviluppate al microscopio. La qualità delle diverse geometrie è roportata qui sotto.
| Sample | Exp CI1 [s] | Pads | Wires | Numbers | Writings | Thickness [µm] |
| A | 60 | OK | OK | 50% | 10% | 1.644 |
| B | 40 | OK | OK | OK | 30% | 1.594 |
| C | 30 | no prebake | ||||
| D | 20 | OK | OK | OK | 50% | 1.558 |
La dose di esposizione ideale sembra quindi essere fra 40 e 20 s.