Partiamo da un wafer (100) da 2", con 700 nm di ossido termico (Siltronix).
- pulizia con acetone 3' @ 50 ºC
- rinse DI
- singe 15' @ 170 ºC hotplate
- HMDS 3' in capsula Petri
- coat Shipley S1813 @ 4000 rpm (1.5 µm nominali)
- softbake 60" @ 115 ºC
- expose 10"
- develop MF321 1-2', a vista
- hardbake 3' @ 115 ºC (si può fare anche a 120 ºC)
- etch 4' BOE @ 40 ºC (Sigma-Aldrich 40207, 6.5% HF, 250 nm/min nom.)
- remover Shipley 1165 5' @ 50 ºC
- rinse DI
- AFM conferma apertura finestre da 700 nm di profondità
- prepariamo KOH etch: 60 g KOH in 140 cc DI, rate nom. 110 nm/min @ 40 ºC su Si(100), selettività per SiO2 > 500
- tagliamo il wafer in 4 parti:
- A: etch 2' KOH 30% weight @ 40 ºC
- B: etch 4' KOH 30% weight @ 40 ºC
- C: etch 4' KOH 30% weight @ 40 ºC + 4' BOE @ 40 ºC
- D: non etched
- Misuriamo l'altezza dei gradini con AFM:
- A: 845 nm (700 nm SiO2 + 2' scavo in Si) -> 145 nm/2' = 72 nm/min
- B: 960 nm (700 nm SiO2 + 4' scavo in Si)-> 260 nm/4 ' = 65 nm/min
- C: 340 nm (4' scavo in Si) -> 340 nm/4' = 85 nm/min
- D: 700 nm (scavo in Sio2)
La velocità di erosione in KOH 30% weight @ 40 ºC risulta quindi essere di 74 nm/min ±10%.
Problemi incontrati:
- lungo tempo di raffreddamento hotplate
- manca una bilancia
- potrebbe servire un bagnomaria
- mancano gli stirrer