deposizione photoresist non esposto (superlente)

procedura

1. lavaggio stack superlente preparata il 15/12/2010 con remover 1165 (80 °C) 5 min, getto DI 1 min, ACE (80 °C) 5 min, IPA e asciugatura con N2
2. disidratazione su hotplate a 115 °C per 5 min.
3. coat con fotoresist S1805 diluito (per preparazione vedi procedura 2)
   1. puddle su tutto il campione
   2. 10 sec a 900 RPM compresa accelerazione
   3. 30 sec a 4000 RPM
4. softbake 1 min @ 115 °C su hotplate
5. esame al microscopio AFM

risultato: tra breve.