La velocità di erosione di MgO(001) in una soluzione al 20% (wt/wt) di persolfato d'ammonio (NH4)2S2O8 risulta essere di 40 ± 5 Å/min. Quella del Cr è risultata nulla. La procedura utilizzata è stata questa:
- Calibrazione sorgente di sputtering Cu mediante deposizione di 1000 Å nominali di Cu su vetrino con segni di pennarello. Condizioni di crescita: film #24; process #22; power = 31.2%; DC 383 V; 0.62 A; rate 5.0 Å/s; 5 mTorr Ar; RT; sorgente SX; flux #250; 12 rpm. Dopo lift-off lo spessore effettivo risulta essere 1830 ± 10 Å.
- Deposizione di piccole gocce di photoresist S1813 su lastrina MgO(001); soft bake 1 h @ 120 °C in forno a convezione; etching in (NH4)2S2O8 20% wt/wt per 10 min.; rimozione photoresist con remover 1165; misura con profilometro attraverso il bordo della goccia che risulta ben visibile dopo l'etching. La velocità di erosione dell'MgO risulta essere di 40 ± 5 Å/min.
- Calibrazione sorgente di sputtering Cr mediante deposizione di 1000 Å nominali di Cr su vetrino con segni di pennarello. Condizioni di crescita: film #23; process #14; power = 35%; DC 342 V; 0.71 A; rate 4.8 Å/s; 5 mTorr Ar; RT; sorgente DX; flux #250; 12 rpm. Dopo lift-off lo spessore effettivo risulta essere 910 ± 40 Å.
- Deposizione di piccole gocce di photoresist S1813 su vetrino ricoperto di Cr; soft bake 1 h @ 120 °C in forno a convezione; etching in (NH4)2S2O8 20% wt/wt per 10 min.; rimozione photoresist con remover 1165; bordo goccia invisibile a occhio nudo ed al microscopio ottico; misura con profilometro attraverso il bordo della goccia non evidenzia segni di erosione entro la sensibilità dello strumento.
